De fotoelektriske egenskaber af ITO tynde film fremstillet ved forskellige vakuumforsølvningsprocesser er ret forskellige

De fotoelektriske egenskaber af ITO tynde film fremstillet ved forskellige vakuumforsølvningsprocesser er ret forskellige

Når du bruger et legeringsmål til at fremstille en tynd ITO-film, på grund af den stærke elektrokemiske reaktion af oxygen som en reaktiv gas med målet under sputteringsprocessen, dækkes måloverfladen med et lag af forbindelse, således at sputtererosionsområdet er meget lille (almindeligvis kendt som "" målforgiftning"), så det er vanskeligt stabilt at fremstille ITO-film af høj kvalitet ved DC-forstøvning. Det vil sige, at når man bruger legeret målmagnetronforstøvning, er vinduet for procesparametre meget snævert og ekstremt ustabilt. Fordi det keramiske mål kan hæmme den selektive sputtering af oxygen under sputteringsprocessen, kan det stabilt danne reaktanterne af metalindium, tin og oxygen i overensstemmelse med det nødvendige kemiske forhold, så der ikke er noget forgiftningsfænomen, og processen vinduet er bredt God stabilitet Det betyder dog ikke, at det keramiske mål har løst alle problemerne. De fotoelektriske egenskaber af de tynde film er stadig påvirket af de vigtigste procesparametre såsom substrattemperatur, sputterspænding og iltindhold. De fotoelektriske egenskaber af ITO tynde film fremstillet ved forskellige processer er ret forskellige.

Vakuum sølv indium tinoxid

Indiumtinoxidfilm er et meget brugt gennemsigtigt ledende materiale, som er blevet brugt i forruder til motorkøretøjer, flydende krystaller, solceller, holografi og flydende krystal farve-tv'er osv. Lysemitterende diodeskærm (organisk lysdiode) , omtalt som OLED). Fra anvendelsessynspunktet kræves det normalt, at sammensætningen af ​​ITO-filmen er In2O3 og SnO2, og jo mindre lavvalente forbindelser af indium og tin i filmen, jo bedre. Der er mange forberedelsesmetoder til ITO tynde film, såsom sprøjtning, fordampning, radiofrekvens sputtering og magnetron sputtering.

www.superbheater.com